- Rohm et Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation annoncent leur collaboration dans le domaine de la fabrication de composants de puissance afin d’en augmenter le volume de production.
- Les deux entreprises japonaises prévoient de respectivement investir dans les semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC) et en silicium (Si), d’améliorer leurs capacités d’approvisionnement et d’utiliser de manière complémentaire leur capacité de production.
Les semi-conducteurs de puissance sont essentiels à l’alimentation électrique de toutes sortes d’équipements électroniques. Ils suscitent actuellement une forte demande qui devrait se poursuivre. L’industrie automobile se concentre sur le développement de groupes motopropulseurs électriques plus efficaces, plus compacts et plus légers. Dans d’autres secteurs industriels, la stabilité des systèmes d’alimentation et l’amélioration de leurs caractéristiques de fonctionnement sont requises pour répondre aux exigences accrues des processus automatisés.
Les Mosfet SiC de 4ème génération de Rohm vont être adoptés par de nombreux véhicules électriques et équipements industriels. Rohm s’engage à réaliser des investissements significatifs et continus afin d’augmenter la capacité de production de composants SiC et ainsi répondre à la forte croissance de la demande.
Depuis des décennies, Toshiba fournit des semi-conducteurs de puissance Si, principalement pour les marchés de l’automobile et de l’industrie. L’entreprise japonaise a démarré la production sur une ligne de wafers de 300 mm l’année dernière et accélère ses investissements en vue d’améliorer la capacité de production et répondre à la forte augmentation de la demande. Elle poursuit également le développement d’une gamme plus étendue de semi-conducteurs de puissance SiC, en particulier pour les applications automobiles et les applications de transmission et de distribution d’énergie, en tirant parti de l’expertise acquise dans le domaine ferroviaire.
Rohm a déjà annoncé sa participation à la privatisation de Toshiba, mais cet investissement ne constitue pas le point de départ de la collaboration manufacturière entre les deux entreprises. Face à l’intensification de la concurrence internationale dans l’industrie des semi-conducteurs, les deux fabricants japonais envisagent depuis un certain temps de collaborer dans le domaine des semi-conducteurs de puissance. Ce qui a finalement donné lieu à cette accord de collaboration manufacturière.
Rohm et Toshiba Electronic Devices & Storage collaboreront dans le domaine de la fabrication de semi-conducteurs de puissance, par le biais de significatifs investissements en matière de composants de puissance SiC et Si, afin d’améliorer la compétitivité internationale des deux entreprises. Les deux partenaires souhaitent également contribuer au renforcement de la résilience des chaînes d’approvisionnement en semi-conducteurs au Japon.
