- Diamfab a réalisé une levée de fonds de 8,7M€ auprès de Asterion Ventures, Bpifrance pour l’Etat et du fonds régional Avenir Industrie Auvergne-Rhône-Alpes
- Ce qui va permettre à la jeune pousse grenobloise d’accélérer la phase de pré-industrialisation de son processus de synthèse de diamant pour la fabrication de semi-conducteurs de puissance
Créée en 2019, la société grenobloise Diamfab est un spin-off de l’Institut Néel, laboratoire du CNRS, issu de 30 ans de R&D sur la croissance de diamant synthétique. Elle s’appuie sur un écosystème de partenaires et clients qui participent au développement de sa technologie de synthèse de diamant semi-conducteur, tels que Soitec, Murata, STMicroelectronics, CEA et Schneider Electric.
L’entreprise française a développé une technologie brevetée dans le domaine de l’épitaxie et du dopage du diamant synthétique pour la fabrication de composants semi-conducteur de puissance. Son savoir-faire réside principalement dans la croissance et le dopage de couches minces de diamant, ainsi que dans la conception de composants électroniques en diamant.
Cette première levée de fonds va permettre à Diamfab de créer une ligne pilote pour pré-industrialiser sa technologie, accélérer son développement et ainsi répondre à la demande croissante de semi-conducteurs en diamant.
Le marché des semi-conducteurs de puissance devrait enregistrer une très forte croissance dans les prochaines années pour représenter plusieurs dizaines de milliards de dollars à l’horizon 2030. Ces composants électroniques sont traditionnellement à base silicium qui est aujourd’hui concurrencé par des semi-conducteurs à large bande interdite tels que le nitrure de gallium (GaN) et le carbure de silicium (SiC) qui possèdent des propriétés physiques qui permettent de concevoir des convertisseurs de puissance de plus haut rendement, fonctionnant à plus haute température et à plus haute tension et avec une plus grande vitesse de commutation.
Le diamant qui est un semi-conducteur à ultra large bande interdite pourrait tirer son épingle du jeu. Il est en effet reconnu comme le semi-conducteur ultime pour gérer efficacement de très hautes puissances d’énergie avec le moins de perte possible. Il affiche un score Baliga Figure of Merit (habilité d’un semi-conducteur à gérer des hautes puissances efficacement) 40 fois supérieur au SiC et 100 fois supérieur au GaN. .
La technologie de Diamfab ouvre la voie à l’utilisation du diamant pour la fabrication de semi-conducteurs plus légers, plus résistants aux températures élevées et plus efficaces énergétiquement. Ce qui répond aux exigences des systèmes de conversion de puissance destinés aux voitures électriques, aux réseaux de distribution électriques et autres équipements industriels.
