- Le fabricant allemand de puces électroniques Infineon a annoncé le 13 mars 2024 avoir déposé plainte contre la société chinoise Innoscience devant un tribunal californien au sujet de la violation d’un brevet américain détenu par Infineon relatif à la technologie GaN (nitrure de gallium) destinée à la conception de semiconducteurs.
- Innoscience Technology dénonce aujourd’hui les accusations portées par Infineon. L’entreprise chinoise nie les allégations de contrefaçon de brevet d’Infineon ainsi que la validité du brevet d’Infineon.
Le 14 mars 2024, Infineon Technologies a intenté, par l’intermédiaire de sa filiale Infineon Technologies Austria AG, une action en justice contre Innoscience Technology Company, Ltd. et Innoscience America, Inc. et ses filiales. Le fabricant allemand de semiconducteurs demande une injonction permanente pour violation d’un brevet américain relatif à la technologie du nitrure de gallium (GaN) détenue par Infineon. Les revendications du brevet couvrent selon la firme allemande des aspects essentiels des semi-conducteurs de puissance GaN, y compris des innovations qui permettent la fiabilité et la performance des composants GaN exclusifs d’Infineon. L’entreprise allemande estime qu’Innoscience enfreint le brevet Infineon en fabriquant, en utilisant, en vendant, en proposant de vendre et/ou en important aux États-Unis notamment des transistors GaN.
Vendredi 22 mars, Innoscience a déclaré via un communiqué qu’Infineon a fait valoir un brevet présentant des défauts importants : « En particulier, même un examen superficiel du portefeuille de brevets d’Infineon révèle que la prétendue « ‘’invention’’ du brevet revendiqué était déjà divulguée dans les propres brevets antérieurs d’Infineon, ce qui soulève des inquiétudes quant à la possible fraude à l’Office des brevets et des marques déposées des États-Unis, comme par exemple de ne pas avoir fait les divulgations appropriées au cours de la dépose du brevet défectueux en question ».
L’entreprise chinoise indique par ailleurs que le procès ne concerne qu’une petite fraction des transistors GaN haute tension (650 V-700 V) mis en boîtiers par Innoscience et n’affecte pas la grande majorité de ses autres produits. Par conséquent, elle estime que le procès ne devrait avoir que peu ou pas d’effet sur sa capacité actuelle à fabriquer, utiliser, vendre, proposer de vendre ou importer aux États-Unis ses produits pour ses clients.
