- Innoscience annonce une famille de quatre nouveaux systèmes intégrés. Ces dispositifs combinent l’alimentation GaN HEMT, le pilote, la détection de courant et d’autres fonctions dans un seul boîtier QFN 6×8 mm standard.
- Les circuits intégrés SolidGaN 700 V ISG610x couvrent la plage de 140 mΩ à 450 mΩ et visent à économiser de l’espace sur les circuits imprimés et le nombre de nomenclatures, tout en simplifiant la conception pour les applications telles que les chargeurs USB-PD, l’éclairage LED, les alimentations CA/CC et les PFC, les QR flyback ainsi que les convertisseurs ACF et LLC.
Les nouveaux circuits intégrés disposent d’une plage VCC allant de 9 V à 80 V. Ce qui convient aux applications USB-PD nécessitant une sortie jusqu’à 28 V. Selon Innoscience, les circuits concurrents dont la tension d’entrée est limitée à 30 V nécessitent un LDO externe haute tension ou plusieurs composants discrets pour obtenir une sortie supérieure à 15 V. Les nouveaux composants SolidGaN d’Innoscience peuvent couvrir les exigences de tension de sortie USB-PD sans LDO externe ou autres composants. Ce qui permet d’économiser le coût de la nomenclature et de réduire la surface sur la carte.
Pour un fonctionnement à faible consommation, les circuits intégrés de la famille ISG610x disposent également d’un faible courant de repos de 115 µA, grâce à un mode veille automatique qui est activé lorsque la tension du signal PWM reste faible pendant une certaine période. Pendant ce temps, la plupart des circuits internes sont éteints. Ce qui, selon Innoscience, réduit considérablement le gaspillage d’énergie, permettant aux appareils de répondre aux spécifications d’alimentation en veille sans charge des organismes de réglementation tels qu’Energystar.
La détection de courant sans perte avec une précision de 7 % des nouveaux circuits SolidGaN présente plusieurs avantages. Premièrement, étant donné que la perte de résistance de détection de courant est éliminée, un RDS(on) plus important peut être pris en charge sans perte de performances. Ce qui réduit les coûts. Deuxièmement, le nombre de composants est réduit et l’empreinte PCB est minimisée.
Les circuits intégrés disposent également d’un taux de balayage d’activation du commutateur programmable pour permettre la réduction des EMI. Un régulateur de tension linéaire est intégér pour assurer une alimentation de pilote de 6,5 V régulée, maximisant la capacité de courant du GaN HEMT tout en garantissant la fiabilité du GaN HEMT. Ces circuits intègrent également des fonctions de verrouillage en cas de sous-tension (UVLO), de protection contre les surintensités (OCP) et de protection contre la surchauffe (OTP).
Une carte de démonstration, INNDAD120B1, est disponible, décrivant une alimentation flyback quasi-résonante avec une entrée 90V~264V AC et une sortie 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/6A (crête de 120W).
