- Innoscience Technology propose une nouvelle gamme de transistors HEMT discrets à faibles tensions intégrés dans un emballage FCQFN.
- Évalué à 40 V, 100 V et 150 V, le formatage « flip chip » vise à simplifier l’utilisation de ces transistors.
« Nous proposons encore tous nos composants discrets dans des boîtiers à l’échelle d’une tranche, ce qui est avantageux pour certains utilisateurs de modules. Cependant, les nouveaux composants FCQFN sont faciles à monter sur des PCB avec un équipement d’assemblage dans le cadre de processus de production conventionnels », explique Denis Marcon, directeur général d’Innoscience Europe.
Les transistors FCQFN de 40 V sont disponibles avec une valeur de résistance à l’état passant de 4,3 mΩ (taille de puce 3×4 mm). Les transistors HEMT 100 V sont proposés avec des valeurs RDS(on) de 2,8 mΩ (3×5 mm) et 1,8 mΩ (4×6 mm), tandis que les transistors 150 V mesurant 4×6 mm sont disponibles avec 3,9 mΩ et 7 mΩ RDS(on).
Les faibles courants de fuite de drain et de grille des composants leur permettent d’être utilisés sur les marchés des équipements mobiles et dans les applications fonctionant sur batterie. Ces composants peuvent également être employés dans les convertisseurs Buck-Boost USB Type C dans les ordinateurs portables. De plus, grâce à son dernier procédé, Innoscience maintient un contrôle très strict de l’épitaxie. Ce qui se traduit par une tension de seuil et une résistance à l’état passant très uniformes, conduisant à un rendement de tranche très élevé.
Les transistors 100 V conviennent à la conversion DC/DC à des niveaux de puissance allant jusqu’à 2 kW, en raison de leur très faible résistance à l’état passant. Lorsqu’ils sont utilisés en configuration parallèle, des niveaux de puissance allant jusqu’à 8 kW peuvent être atteints.
Les transistors 150 V ciblent les applications industrielles telles que les installations solaires. Robustes, ils ne nécessitent donc pas l’application du déclassement standard de 80 % (c’est-à-dire qu’ils sont évalués à 100 % de leur tension). Tous les nouveaux transistors HEMT 40 V, 100 V et 150 V ont été testés et ont dépassé les normes JEDEC et JEP 180 spécifiques au GaN.
Les transistors HEMT 1,8 mΩ 100 V sont compatibles broche à broche avec les nouveaux composants 3,9 mΩ et 7 mΩ 150 V puisqu’ils sont tous conditionnés en FCQFN 4×6 mm.
