- Texas Instruments (TI) a étoffé son portefeuille de composants basse consommation à base de nitrure de gallium (GaN) qui sont conçus afin de gagner en puissance volumique, optimiser l’efficacité énergétique et réduire la taille des appareils électroniques ainsi que des systèmes de conversion AC/DC.
La gamme de transistors à effet de champ (FET) en nitrure de gallium (GaN) avec pilotes de grille intégrés de TI avise à relever les défis les plus fréquents en matière de conception thermique, de manière à mieux refroidir les adaptateurs et à fournir davantage de puissance dans un format plus compact.
« Les consommateurs sont à la recherche d’adaptateurs de puissance plus compacts, plus légers et faciles à transporter, mais capables de recharger leurs appareils rapidement tout en économisant l’énergie », explique Kannan Soundarapandian, directeur général responsable des solutions de puissance à haute tension chez TI. « Grâce aux nouveaux composants venant compléter notre offre, les ingénieurs peuvent désormais tirer parti de la puissance volumique avantageuse de la technologie GaN basse consommation sur un plus nombre d’appareils du quotidien : adaptateurs de téléphone ou d’ordinateur portable, modules d’alimentation de télévisions ou encore prises USB murales. Ces composants répondent également aux besoins en matière de compacité et d’efficacité énergétique des équipements industriels, notamment les outils électriques et les alimentations auxiliaires de serveurs. »
Le nouveau portefeuille de transistors à effet de champ en GaN avec pilotes de grille intégrés comprend les modèles LMG3622, LMG3624 et LMG3626 intégrant des fonctions de détection de courant. Selon TI, ces composants permettent d’optimiser l’efficacité des systèmes en éliminant la nécessité d’y adjoindre une résistance de shuntage externe et en limitant les pertes de puissance associées de 94 % par rapport à un circuit de détection de courant classique, doté de transistors à effet de champ en GaN ou en silicium discrets.
Selon TI, ses transistors à effet de champ en GaN avec pilotes de grille intégrés accélèrent le processus de commutation, évitant ainsi la surchauffe des adaptateurs. Il serait ainsi possible d’atteindre une efficacité supérieure à 94 % sur les applications AC/DC de puissance inférieure à 75 W, voire supérieure à 95 % sur les applications AC/DC de puissance supérieure à 75 W. Grâce à ces composants, il est envisageable de diviser par deux les dimensions d’un adaptateur de puissance type de 67 W par rapport à une solution en silicium.
Cette gamme de composants est également optimisée pour les topologies de conversion de puissance AC/DC les plus courantes, notamment les convertisseurs à transfert indirect quasi résonnants, en demi-pont asymétrique, les convertisseurs à deux inductances, les dispositifs de correction de facteur de puissance à pôle totem et les convertisseurs à transfert indirect à écrêtage actif.
