- Innoscience propose des circuits intégrés haute puissance à faible RDS(on) qui complètent sa gamme de transistors de puissance à mode 650 V/700 V.
- De nouveaux modèles RON 30, 50 et 70 mΩ sont disponibles dans un boîtier TOLL (TO-sans broche) standard. La variante 70 mΩ est également disponible en modèle DFN 8×8.
« Avec un Ron Qg (Total Gate Charge) dix fois supérieur à celui des dispositifs au silicium, les composants GaN permettent d’opérer à une fréquence plus élevée et fournissent un meilleur rendement. L’exploitation de hautes fréquences signifie que les composants passifs seront plus petits. Ce qui permet de gagner en densité de puissance. De plus, comme les composants d’alimentation GaN n’ont pas de diode physique, il n’y a pas de courant de récupération inverse. Cela conduit à une topologie système plus simple et moins coûteuse tout en maintenant ou en augmentant les performances », explique Pengju Kong, vice-président de l’ingénierie de conception de produits chez Innoscience.
Membres d’une nouvelle plateforme de produits haute puissance d’Innoscience, les nouveaux circuits intégrés INN650TA0x0AH et INN650DA070AH (DFN) répondent selon Innoscience à plusieurs problématiques du marché. Par exemple, avec la technologie Silicium, il est difficile d’atteindre les dernières normes d’efficacité tout en conservant un bloc d’alimentation de petite taille.
Une démonstration d’Innoscience reposant sur le transistor GaN INN650TA030AH 650 V/30 mΩ dévoile une conception Totem Pole PFC de 4,2 kW qui répond aux spécifications 80+ Titanium Plus. Les centres de données gourmands en énergie exigent désormais 1 à 2 kW/rack. À l’aide de ses nouveaux HEMT, Innoscience a développé un bloc d’alimentation de 4,2 kW avec une densité de puissance de 130 W/po3 qui répond à plus de 80 normes d’efficacité Titanium Plus.
