- Toshiba Electronics Europe a lancé un photocoupleur driver de grille adapté au pilotage des MOSFET en carbure de silicium (SiC) dans les équipements industriels tels que les onduleurs industriels, les systèmes d’alimentation sans coupure (uninterruptible power supplies, UPS) et les onduleurs photovoltaïques (PV), soumis à des environnements thermiques difficiles.
- Le TLP5814H est un pilote de grille intégré embarquant une pince active de Miller qui contribue à améliorer la sécurité du système et à réduire la taille globale de la solution en minimisant le nombre de composants externes supplémentaires requis.
Le circuit de pince active de Miller qui est intégré au TLP5814H présente une résistance de canal de 0,69 Ω (typ.) et un courant de crête nominal de 6,8 A. Ces fonctionnalités aident à prévenir le phénomène d’auto-allumage associé à certains composants de puissance, tels que les MOSFET SiC et les transistors bipolaires à grille isolée (insulated gate bipolar transistors, IGBT), qui sont très sensibles aux variations de tension de grille. La pince de Miller intégrée au TLP5814H réduit le coût, la taille et la complexité du système en évitant aux concepteurs d’avoir recours à une alimentation négative supplémentaire ainsi qu’à un circuit externe de pince active de Miller.
Ce photocoupleur driver de grille peut fournir un courant de sortie crête maximal de +6,8/-4,8 A avec une sortie rail à rail, ce qui vise à améliorer les performances de commutation du système tout en garantissant un fonctionnement stable. Un blindage Faraday interne assure une immunité aux transitoires en mode commun de ±70 kV/µs (min).
Le TLP5814H peut fonctionner à des températures comprises entre -40°C et +125 °C grâce à la sortie optique de la diode électroluminescente infrarouge (LED) côté entrée et à un réseau optimisé de photodiodes de détection de lumière à gain élevé et à haute vitesse, qui augmentent de manière significative l’efficacité du couplage optique.
Pour faciliter l’agencement de la carte, le TLP5814H est proposé dans un boîtier SO8L mesurant 5,85 × 10 × 2,1 mm. De plus, il présente une distance de fuite minimale de 8,0 mm. Ce qui le rend idéal pour les applications exigeant un niveau élevé d’isolation.
