- Les fabricants de semi-conducteurs STMicroelectronics et Innoscience ont noué un accord sur le développement et la fabrication de la technologie GaN (nitrure de gallium).
- Cet accord vise à tirer parti des points forts de chaque entreprise pour renforcer les solutions de puissance à base de GaN et la résilience de la chaîne d’approvisionnement.
Les deux entreprises ont convenu d’une initiative de développement conjoint concernant la technologie de puissance GaN, afin de développer des semi-conducteurs destinés aux secteurs de l’électronique grand public, des data centers, des systèmes de puissance pour l’automobile et l’industrie.
Cet accord permet à Innoscience d’utiliser la capacité de fabrication front-end de ST en dehors de la Chine pour ses plaquettes GaN, tandis que ST peut tirer parti de la capacité de fabrication front-end d’Innoscience en Chine pour ses propres plaquettes GaN. Chacune des deux entreprises envisage ainsi d’élargir leur offre de semi-conducteurs en nitrure de gallium en gagnant en flexibilité et en améliorant la résilience de la chaîne d’approvisionnement.
Dr. Weiwei Luo, président et cofondateur d’Innoscience, a déclaré : « La technologie GaN est essentielle pour améliorer les systèmes électroniques qui peuvent gagner en compacité et en efficacité en consomment moins d’énergie électrique. C qui permet de réduire les coûts et diminuer les émissions de CO2. Innoscience a été pionnier en matière de fabrication en volume de la technologie GaN sur des plaquettes de 8 pouces et a livré plus d’un milliard de composants GaN pour plusieurs marchés. Les équipes d’Innoscience et de ST développeront les prochaines générations de la technologie GaN. »
