- Texas Instruments (TI) annonce le lancement d’une nouvelle gamme de pilotes de grille pour transistors à effet de champ (FET) en nitrure de gallium (GaN) en demi-pont, durcis contre les rayonnements et résistants aux rayonnements.
- Les circuits de cette gamme sont disponibles dans des boîtiers céramiques ou plastiques, compatibles broche à broche, et se déclinent en trois niveaux de tension : 22 V, 60 V et 200 V.
Les systèmes satellites doivent répondre à des exigences croissantes en termes de traitement et de transmission des données, de résolution de l’imagerie et de précision de détection. Afin d’améliorer les fonctions utilisées en mission, il est nécessaire d’optimiser l’efficacité des systèmes électriques. Les nouveaux pilotes de grille de TI sont conçus pour piloter avec précision les transistor FET en nitrure de gallium, avec des temps de montée et de descente rapides. Ce qui permet d’optimiser la taille de l’alimentation et la puissance volumique. Les satellites peuvent ainsi utiliser plus efficacement la puissance générée par leurs cellules photovoltaïques dans l’exercice de leurs missions.
« Les satellites accomplissent des missions essentielles : couverture du réseau Internet, de surveillance météorologique ou encore de suivi du transport maritime… Ils nous permettent de mieux comprendre le monde afin de mieux nous y orienter », rappelle Javier Valle, responsable de la gamme de produits de puissance destinée aux applications spatiales chez TI. « Notre nouveau portefeuille permet aux satellites en orbite basse, moyenne ou géosynchrone de maintenir plus longtemps un niveau d’efficacité élevé dans l’environnement particulièrement rude qu’est l’espace. »
Les pilotes de grille pour FET en nitrure de gallium destinés aux applications spatiales de TI couvrent l’ensemble de la plage de tension nécessaire sur les systèmes de puissance des satellites, notamment les systèmes d’alimentation par des panneaux photovoltaïques, de distribution et de conversion de la puissance.
