- Keysight Technologies et Win Semiconductors ont annoncé le développement d’un flux de travail (workflow) conjoint destiné à la conception de circuits intégrés micro-ondes monolithiques (MMIC) sur substrat de nitrure de gallium (GaN).
- Cette solution vise à sécuriser la phase critique du « tapeout » en combinant la simulation multi-domaine et la vérification physique au sein d’un environnement unifié.
Dans le processus de développement des puces radiofréquences (RF), la soumission du design final à la fonderie, ou tapeout, représente une étape à fort enjeu temporel et financier. Tout défaut conceptuel non détecté engendre des cycles de fabrication supplémentaires, retardant la mise sur le marché de plusieurs semaines. Le flux de travail mis en place automatise les étapes de simulation, d’optimisation et de vérification requises avant la production.
L’environnement unifié permet d’effectuer des simulations multi-domaines directement sur la puce, de gérer le routage tridimensionnel (3D) avec des outils de vérification intégrés, et de préparer la transition vers les étapes de test physique. Ce protocole s’adresse aux ingénieurs développant des puces pour les infrastructures de communication 5G, les points d’accès Wi-Fi, les charges utiles satellitaires et les systèmes de détection radar.
Co-conception du circuit intégré et de la carte d’évaluation
Une spécificité de cette solution réside dans la prise en compte de l’environnement global du composant dès les phases initiales de conception. Les acheteurs de MMIC conditionnent généralement la validation des composants aux résultats obtenus sur des cartes d’évaluation physiques. Ces cartes associent la puce MMIC, son boîtier de protection, le circuit imprimé (PCB) et les connecteurs RF de test.
Le workflow permet une modélisation conjointe de ces différents éléments structurels. Cette approche garantit que les performances mesurées en laboratoire sur le système complet correspondent aux simulations initiales du circuit intégré. Cette validation globale intervient alors que le marché mondial des dispositifs RF au nitrure de gallium (GaN) est en croissance et devrait atteindre une valorisation de 2,77 milliards de dollars d’ici 2031.
Intégration logicielle et processus de fabrication
Sur le plan technique, la solution s’appuie sur le kit de conception de processus (PDK) GaN NP 120P développé par Win Semiconductors. Ce kit fournit les modèles de processus et les règles de configuration géométrique nécessaires à la fabrication.
Ces données de fonderie sont directement intégrées dans la suite logicielle Advanced Design System (ADS) et l’outil RF Circuit Simulation Professional de Keysight. Cette interopérabilité permet l’implémentation d’une solution de vérification de type LVS (Layout Versus Schematic) sur mesure, formalisant le contrôle entre le schéma électrique et le tracé physique du circuit pour valider la conformité du système avant le lancement de la production industrielle.
