- Infineon Technologies a annoncé la fabrication de composants électroniques de puissance fonctionnels à partir de plaquettes (wafers) de carbure de silicium (SiC) de 300 mm de diamètre.
- La transformation de ces substrats a été réalisée sur le site de Villach, en Autriche, en réutilisant en partie des équipements de fabrication existants initialement destinés au silicium conventionnel.
Le passage d’une plaquette d’un diamètre de 200 mm à 300 mm (à droite sur la photo) permet d’augmenter la surface utile et de produire environ 2,3 fois plus de puces par galette, ce qui modifie le rendement de fabrication des semi-conducteurs à large bande interdite (wide-bandgap).
La montée en cadence du procédé 300 mm SiC s’effectuera en parallèle de la feuille de route établie pour le 200 mm. En complément des essais menés à Villach, l’entreprise allemande a validé l’adaptation de sa technologie « Cold Split » aux galettes de 300 mm sur son site de Dresden, en Allemagne. Ce procédé de séparation par découpe physique réduit la perte de matière et le temps de traitement par rapport au sciage par fil classique, permettant d’obtenir un nombre supérieur de galettes à partir d’un même lingot de SiC.
Ces développements s’inscrivent dans une stratégie globale de montée en diamètre des matériaux semi-conducteurs. À la fin du mois d’octobre 2026, l’entreprise avait déjà annoncé un investissement de 1,1 milliard d’euros dédié à la production en volume de semi-conducteurs de puissance en nitrure de gallium (GaN) sur des galettes de 300 mm à Villach.
Propriétés du carbure de silicium et applications cibles
Le carbure de silicium présente des caractéristiques physiques qui réduisent les pertes d’énergie lors de la conversion électrique et permettent un fonctionnement à des tensions et des températures supérieures à celles du silicium standard. Les composants dérivés de ce matériau (commercialisés sous la gamme CoolSiC) visent plusieurs secteurs industriels :
- Automobile et transports : intégration dans les onduleurs de traction, les chargeurs embarqués et les bornes de recharge pour véhicules électriques.
- Énergie et industrie : utilisation dans le stockage d’énergie à grande échelle, les variateurs industriels et les alimentations sans interruption (ASI).
- Centres de données IA : intégration dans les transformateurs à semi-conducteurs, les disjoncteurs électroniques et les unités d’alimentation électrique.
Le premier exemplaire de galette SiC de 300 mm transformée sera présenté au public lors du salon electronica, qui se tient à Munich du 10 au 13 novembre 2026.
