- La mission Artemis II de la NASA, qui a effectué un vol de dix jours autour de la Lune avant de revenir sur Terre, a confirmé la fiabilité des semi-conducteurs durcis aux radiations (rad-hard) développés par Infineon Technologies.
- Ces composants électroniques, intégrés au vaisseau Orion, ont soutenu les systèmes critiques de puissance, de contrôle et de communication, dans des conditions extrêmes de l’espace lointain.
Légende photo : La Lune, éclairée par le Soleil lors d’une éclipse solaire, est photographiée par le vaisseau spatial Orion de la NASA le lundi 6 avril 2026, dans le cadre de la mission Artemis II. Credit : Nasa
Depuis les années 1970, les technologies d’Infineon — et de ses sociétés prédécesseures — équipent les programmes spatiaux de la NASA et de l’ESA. Les composants rad-hard d’Infineon ont été utilisés dans des centaines de missions, allant des satellites de navigation à la Station Spatiale Internationale (ISS), en passant par le programme Artemis. À ce jour, ces composants ont parcouru plus de 20 milliards de kilomètres, soit la distance la plus éloignée jamais atteinte par un objet fabriqué par l’homme.
Des semi-conducteurs conçus pour résister aux radiations spatiales
Dans l’espace, les semi-conducteurs sont exposés à des particules énergétiques capables d’endommager ou de détruire les composants électroniques, entraînant des risques de défaillance des missions. Contrairement aux solutions de blindage passif, Infineon mise sur une architecture intrinsèquement résistante aux radiations, conçue pour garantir la fiabilité des composants dans ces environnements hostiles.
Les produits d’Infineon sont certifiés selon les normes spatiales les plus strictes, notamment MIL-PRF-38535 Class V, MIL-PRF-19500, ESA ESCC et NASA EEE-INST-002. Ces certifications attestent de leur capacité à fonctionner de manière fiable dans des conditions spatiales extrêmes.
Une approche systémique pour l’optimisation des performances
Infineon adopte une approche systémique dans le développement de ses technologies spatiales, intégrant la conception des semi-conducteurs, la résistance aux radiations et l’optimisation des boîtiers.
Cette méthode permet d’améliorer non seulement les performances électriques, mais aussi le comportement thermique et la fiabilité à long terme, tout en réduisant le poids et le volume des composants — des critères critiques dans les applications spatiales, où chaque gramme compte.
Semi-conducteurs en nitrure de gallium pour l’espace
Infineon étend l’utilisation de nouveaux matériaux semi-conducteurs dans les applications spatiales, notamment le nitrure de gallium (GaN). Ce matériau permet de réduire les pertes de commutation, d’augmenter la densité de puissance et d’élever les fréquences de commutation, ce qui se traduit par une réduction des besoins en composants magnétiques et, par conséquent, par des économies de poids supplémentaires.
Infineon a développé le premier transistor GaN durci aux radiations et qualifié JANS (Joint Army Navy Space), conforme à la norme MIL-PRF-19500. Ce composant, fabriqué en interne, marque une avancée significative pour les missions spatiales exigeantes, en passant du concept à une technologie éprouvée.
Une offre de solutions durcies aux radiations
Infineon propose une gamme de composants rad-hard, incluant des MOSFET de puissance en silicium, des transistors GaN, des drivers de grille, des relais à semi-conducteurs, des mémoires et composants radiofréquence (RF).
L’entreprise dispose également de capacités internes de test aux radiations et garantit une disponibilité à long terme de ses produits, se positionnant ainsi comme un partenaire technologique pour l’industrie spatiale.
